共用方式為


e, ea, eb, ed, eD, ef, ep, eq, eu, ew, eza (Enter Values)

*e*命令會輸入您指定的值記憶體中。

此命令不應與 ~E(線程特定命令) 限定符混淆。

e{b|d|D|f|p|q|w} Address [Values] 
e{a|u|za|zu} Address "String" 
e Address [Values]

僅限核心模式 - 實體位址

/p {[c]|[uc]|[wc]}

如需詳細資訊,請參閱 本主題稍後的核心模式實體位址

參數

語法

位址
指定要輸入值的起始位址。 調試程式會取代 Address每個後續記憶體位置的值,直到使用所有 Values 為止。


指定要輸入記憶體的一或多個值。 多個數值應該以空格分隔。 如果您未指定任何值,則會顯示目前位址和該位址的值,系統會提示您輸入。

字串
指定要輸入記憶體中的字串。 eaeza 命令會將此寫入記憶體作為 ASCII 字串;euezu 命令會將此寫入記憶體做為 Unicode 字串。 ezaezu 命令會寫入終端機 NULL;eaeu 命令則不會。 字串 必須以引號括住。

Environment

項目 說明
模式 使用者模式、核心模式
目標 即時、損毀傾印
平台 全部

其他資訊

如需記憶體操作的概觀,以及其他記憶體相關命令的描述,請參閱 讀取和寫入記憶體

備註

此命令存在於下列表單中。 ed 和 eD 命令的第二個字元會區分大小寫。

Command Enter

e

這會以與最新的 e 命令相同的格式輸入數據。 (如果最近的e 命令是 ea、ezaeuezu,最終參數會是 String,而且可能不會省略。

ea

ASCII 字串(非 NULL 終止)。

eb

位元組值。

ed

雙字值(4 個字節)。

eD

雙精確度浮點數(8 個字節)。

ef

單精度浮點數(4 個字節)。

ep

指標大小的值。 此命令相當於 edeq,視目標電腦的處理器架構是否分別為 32 位或 64 位而定。

eq

四字值 (8 個字節)。

eu

Unicode 字串 (非 NULL 終止)。

ew

Word 值 (2 個字節)。

eza

NULL 終止的 ASCII 字串。

ezu

NULL 終止的 Unicode 字串。

數值會解譯為目前基數中的數位(16、10 或 8)。 若要變更預設的基數,請使用 n (Set Number Base) 命令。 您可以藉由指定 0x 前置詞(十六進位)、0n 前置詞(十進位)、0t 前置詞(八進位),或 0y 前置詞 (binary) 來覆寫預設的基數。

注意 使用C++表達式時,預設基數的行為會有所不同。 如需詳細資訊,請參閱 評估表達式

使用 eb 命令輸入位元組值時,您可以使用單引號來指定字元。 如果您想要包含多個字元,每個字元都必須以自己的引號括住。 這可讓您輸入不是以 Null 字元終止的字元字串。 例如:

eb 'h' 'e' 'l' 'l' 'o'

C 樣式逸出字元 (例如 \\0\\n) 可能無法與這些命令搭配使用。

如果您省略 Values 參數,系統會提示您輸入。 將會顯示位址及其目前的內容,並 會出現 [輸入> ] 提示。 然後,您可以執行下列任一動作:

  • 輸入值並按 ENTER 鍵,以輸入新的值。

  • 按下空格鍵,然後按 ENTER 鍵,以保留記憶體中的目前值。

  • 按 ENTER 鍵結束命令。

核心模式實體位址

在 WinDbg 1.2402.24001.0 版和更新版本中,e(Enter Memory) 命令支持實體位址,就像 d、da、db、dc、dd、dd、df、dp、dq、du、dw、dW、dyb、dyd (Display Memory)一樣。 只有在核心模式中才支持這些選項。

選項 描述
/p 使用實體記憶體位址進行顯示。 Range 所指定的範圍會取自物理記憶體,而不是虛擬記憶體。
/p[c] /p相同,不同之處在於會讀取快取的記憶體。 必須包含 c 周圍的括號。
/p[uc] /p相同,不同之處在於會讀取未快取的記憶體。 必須包含 uc 周圍的括號。
/p[wc] /p相同,不同之處在於將會讀取寫入合併的記憶體。 必須包含 wc 周圍的括號。

另請參閱

讀取和寫入記憶體

d, da, db, dc, dd, dD, df, dp, dq, du, dw, dW, dyb, dyd (顯示記憶體)

評估運算式